ترجمه مقاله IEEE در مورد بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس

دسته بندي : فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات
ترجمه مقاله IEEE در مورد بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس
جزئیات و دریافت

بررسی عددی ناخالصی بیس برای کمترین زمان گذر بیس
Numerical Investigate of Base Doping for Minimum Base Transit Time

چکیده
در این مقاله مقدار مطلوب ناخالصی بیس برای مینیمم کردن زمان گذر بیس ارائه شده است . تاثیر باریکی فواصل نوار انرژی ، تاثیر تزریق قوی ، و سرعت اشباع حامل در لبه ناحیه بیس در پیوند بیس-کلکتور ، و همچنین ناخالصی و قابلیت تحرک وابسته به میدان ، ملاحظه شده است . بیشتر ناخالصی اعم از خطی بودن ، تمرکز نمایی ناخالصی مورد بررسی قرار گرفتند . ما فرم ناخالصی یکنواخت ، نمایی و گوسین را در نظر می گیریم . زمان گذر بیس برای مقدار مطلوب فرم ناخالصی بررسی عددی شده است .

کلمه های کلیدی : زمان گذر بیس ، ترانزیستور دوقطبی پیوندی ، تزریق قوی

برای اطلاعات بیشتر با تلگرام بنده تماس حاصل فرمایید. danisignal@
دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک، مخابرات

تعداد مشاهده: 2809 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:.rar

فرمت فایل اصلی: pdf & word

تعداد صفحات: 8

حجم فایل:1,727 کیلوبایت

 قیمت: 30,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • راهنمای استفاده:
    مخصوص دانشجویان ارشد که برای پیشبرد اهداف و پروژه های خود استفاده میکنند و برای دانشجویانی که میخواهند به عنوان پروژه به استاد خود ترجمه تحویل دهند .

  • محتوای فایل دانلودی:
    ترجمه یک مقاله از IEEE به همراه اصل مقاله باکیفیت بالا و درج عکس های مقاله در جای خود

برچسب ها: دانلود مقالهدانلود مقاله IEEEترانزیستور دوقطبیتکنولوژی SOIتاثیر میدانیکنترل بهره جریانSilvacoنرم افزار Silvacoگیت ماسفتماسفتزمان گذر بیستزریق قویتزریق ضعیف