پاورپوینت ترانزيستورهای اثر ميدان (FET)
دسته بندي :
فنی و مهندسی »
برق، الکترونیک، مخابرات
پاورپوینت ترانزيستورهای اثر ميدان (FET)
نوع فایل power point
قابل ویرایش 20 اسلاید
قسمتی از اسلایدها
كلمه ترانزيستور از دو كلمه ترانس (انتقال) و رزيستور (مقاومت) تشكيل شده است و قطعه اي است كه از طريق انتقال مقاومت به خروجي باعث تقويت مي شود.
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزيستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک ميدان الكتريكي صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد
اگر قطعه اي سيليكن با ناخالصي نوع n به دو سر يك باتري وصل كنيم جرياني با توجه به ميزان مقاومت سيليكن در مدار جاري مي شود
اتصال منبع ولتاژ بين دو پايه درين و سورس به طوري كه درين نسبت به سورس مثبت تر باشد باعث :
افزايش ولتاژ باعث عبور جريان از كانال مي شود
اتصال pn در گرايش معكوس قرار مي گيرد
ناحيه تخليه (سد) در داخل كانال نفوذ مي كند
با افزايش بيشتر ولتاژ كانال مسدود مي شود. (ولتاژ بحراني Vp)
در هنگام رسيدن به ولتاژ بحراني جريان FET به حداكثر (جريان اشباع درين – سورس) مي رسد
افزايش بيش از حد ولتاژ
درين – سورس باعث شكست بهمني يا سوختن ترانزيستور مي شود
اتصال منبع ولتاژ بين گيت و سورس در جهت معكوس باعث:
- گسترش هر چه سريعتر ناحيه تخليه در كانال
در صورتيكه ولتاژ درين – سورس را بيش از ولتاژ بحراني انتخاب كنيم:
با افزايش ولتاز گيت سورس سرانجام جريان درين صفر خواهد شد. كه به اين ولتاژ ، ولتاژ قطع يا آستانه ناميده مي شود.
فهرست مطالب و اسلایدها
تعريف
ايجاد ترانزيستور اثر ميدان (FET)
باياس ترانزيستور و نحوه كاركرد آن
علامت اختصاري FET
منحني مشخصه FET
ترانزيستور اثر ميدان با گيت عايق شده
N Channel Mosfet
MOSFET P-channel
Complementary MOS CMOS
-
محتوای فایل دانلودی:
محتوای فایل دانلودی حاوی فایل پاورپوینت است.